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HSGL160N60UFDTU

品牌	HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
封裝	TO-264
包裝形式	管
包裝數(shù)量	24
庫(kù)存數(shù)量	120
商品描述	這款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極晶體管）具有600V的集射極擊穿電壓(VCES)，可在高達(dá)160A的集電極電流(Ic)下工作，最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V，確保了低驅(qū)動(dòng)損耗和快速開(kāi)關(guān)性能。適用于高性能電源管理、電機(jī)控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。
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產(chǎn)品型號(hào)	HSGL160N60UFDTU
品牌	HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
封裝	TO-264
包裝數(shù)量	24
包裝方式	管

這款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極晶體管）具有600V的集射極擊穿電壓(VCES)，可在高達(dá)160A的集電極電流(Ic)下工作，最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V，確保了低驅(qū)動(dòng)損耗和快速開(kāi)關(guān)性能。適用于高性能電源管理、電機(jī)控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。

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HSGL160N60UFDTU

產(chǎn)品分類(lèi)

關(guān)于創(chuàng)芯為

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